台积电10月合并营收同比增长128%(芯片荒加剧)

台积电10月合并营收同比增长128%(芯片荒加剧)

ICNET每日芯资讯

1.台积电10月销售额狂增,目前5nm产能几乎被苹果占完

2.台积电美国建厂进展:明年2月动工,建厂负责人已定

3.国巨10月营收达16.6亿元,同比增长123.4%

4.超过56万韩国5G用户重返4G:不满5G速度、收费贵

5.ASML:32年来向中国大陆卖了700台光刻机

6.美光发布第五代3D NAND闪存,堆叠达到176层

1.台积电10月销售额狂增,目前5nm产能几乎被苹果占完

据快科技报道,今天台积电公布了自家10月营收的业绩,虽然没有创出新高,但相比上月还是提高了不少。台积电在10月的营收为1193.03亿新台币,折合约41.78亿美元。去年10月份,台积电营收1060.4亿新台币,同比增长12.5%。

但在环比方面,台积电10月份的营收却并未延续增长的势头,该公司在今年 9 月份的营收为 1275.85 亿新台币,10月份较之减少 82.82 亿,环比下滑 6.5%。

今年前10个月,台积电营收10970.24亿新台币,去年同期为8587.88亿,同比增加2382.36亿,同比增长率高达27.7%。台积电在去年全年营收10699.85亿新台币,今年前10 月就已达到了10970.24亿,所以总营收超过去年没有任何悬念。

有行业分析人士表示,iPhone 12系列供货短缺,可能在一定程度上抑制了5nm芯片的出货。之前曾有消息称台积电可能为麒麟9000系列代工,不过从官方的说法来看,他们并没有恢复合作,并且目前5nm的主要产能也基本都是苹果所属。

2.台积电美国建厂进展:明年2月动工,建厂负责人已定

据TechWeb引述台媒报道,台积电赴美国建5nm厂各项规划已逐渐清晰。台积电规划明年二月动工,2023年正式装机试产5nm,2024年量产。台积电敲定中科厂十五A厂长林廷皇及技术处资深处长吴怡璜二大将,负责建厂及运营。

台积电美国厂位于亚利桑那州凤凰城近郊,与英特尔厂区仅约一小时车程,交通比较便利。

台积电表示,这座将设立于亚利桑那州的厂房将采用公司的5nm制程技术生产半导体芯片,规划月产能为20,000片晶圆。2021年至2029年,台积电公司于此专案上的支出约120亿美元。

3.国巨10月营收达16.6亿元,同比增长123.4%

据TechWeb报道,被动元件厂国巨日前发布了10月营收报告。国巨10月实现营收新台币72.01亿元(约合人民币16.64亿元),较上月减少6.0%,较去年同期增长123.4%。国巨累计1至10月合并净营收为新台币526.56亿元,较去年同期增加52.6%。

国巨表示,10月份营收较上月减少,主要是受十一长假减少四分之一的工作天数所影响。虽然全球的疫情仍然严峻,且国际贸易争端的不确定性高,但因终端需求稳健,公司已逐步拉升MLCC及芯片电阻的产能利用率,且钽质电容产能持续满载,以因应客户端稳定增加的需求,然仍无法明显拉升成品库存水位,库存天数仍低于60天。

4.超过56万韩国5G用户重返4G:不满5G速度、收费贵

据网易科技报道,韩国广播和通信委员会成员洪贞敏表示,因消费者对5G质量低劣、覆盖范围不足和收费高昂不满,有多达562656人已从5G切换回4G服务。

2019年4月3日,韩国成为世界上第一个提供5G通信服务的国家。但由于连接性差,韩国大量消费者取消了5G合同,重回4G网络怀抱。截至8月底,5G退回到4G的用户占韩国三家国内移动运营商SK Telecom、KT、LG Uplus的5G用户总数的6.5%之多。

5.ASML:32年来向中国大陆卖了700台光刻机

据快科技报道,日前在上海的第三届进出口博览会上,ASML全球副总裁、中国区总裁沈波在透露,ASML与中国的渊源极深,最早一台光刻机是于1988年进入中国,迄今已经32年了。

2000年ASML还在天津正式成立了分公司,目前已在中国设有12个办公室,11个仓储物流中心,2处开发中心,1个培训中心,共拥有1000多名员工。这么多年来,ASML们已经为中国国内地区的半导体客户累积提供了700多台装机。

随着国内半导体行业的发展,国内客户购买的光刻机等产品也越来越多,根据ASML的财报,今年Q2、Q3季度中,公司发往国内地区的光刻机占了全球销量的20%。

6.美光发布第五代3D NAND闪存,堆叠达到176层

据cnBeta报道,美光发布了该公司的第五代3D NAND闪存,创下了176 层的堆叠纪录。美光已将存储单元设计从浮栅改成了电荷陷阱方案。

美光的128层3D NAND在市面上的占有率极低。因此最新一代的176层NAND将直接取代96层的版本。美光首批176层3D NAND采用了将双88层融合到一起的设计。

读写延迟方面,分别较 96 / 128 层 NAND 改善了 35% / 25% 以上。总体混合工作负载方面,176 层 3D NAND 也较 96 层 UFS 3.1 模组领先 15% 左右。

美光现已开始 176 层 3D NAND 的量产,首批颗粒已在英睿达品牌的消费级 SSD 产品中得到使用。

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