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STM32的FLASH擦写次数有限（大概为1万次），所以为了延长FLASH的使用时间，我们平时调试时可以选择在SRAM中进行硬件调试。除此之外，SRAM 存储器的写入速度比在内部 FLASH 中要快得多，所以下载程序到SRAM中的速度较快。
所以我们很有必要建立两个版本的工程配置，在SRAM中调试程序完毕后，再把代码下载到FLASH中即可。这篇笔记主要分享在keil5中配置FLASH调试与SRAM调试的详细配置方法及如何切换两种配置。
在FLASH中进行硬件仿真调试
1、硬件设置
BOOT0配置为0，BOOT1随意设置。
2、keil设置
本文以keil5为例。步骤如下：
target的名称是可以随意更改的，这里我们改为FLASH。
（3）Debug选项设置：
（4）编译，然后按Ctrl F5进入调试界面：
在SRAM中进行硬件仿真调试
在SRAM的仿真调试配置比FLASH中的配置要麻烦一点~
1、硬件设置
BOOT0配置为1，BOOT1配置为1。
2、keil设置
（1）新建一个target，并修改名称为SRAM：
（2）切换至SRAM Target：
（4）C/C 选项设置：
为什么在RAM中调试要设置这个宏而在FLASH中调试却不需要？这是因为我们的中断向量表默认位于FLASH中，而此时我们要在RAM中进行调试，所以需要把中断向量表拷贝到RAM中，相关代码在system_stm32f10x.c的SystemInit函数中：
其实system_stm32f10x.c文件中也有宏VECT_TAB_SRAM相关的代码：
把这行代码打开即可把中断向量表拷贝到RAM中。但是这里选择在C/C 选项选项里添加宏，因为这样可以保证SRAM版本与FLASH版本代码的一致性。
（5）Debug设置：
与在FLASH中调试不同的是，这里需要加入.ini文件：
这个.ini可以自己创建（也可以在芯片支持包里找到），这里我们建为Dbg_RAM.ini。文件里的内容如下：
其中这里的第11行是需要根据实际进行修改的，需要把工程编译得出的.axf格式文件的路径及其文件名填到这里。这里因为我们这里的的.ini文件在.axf的上一级目录：
所以此处以./Objects来表示。如果觉得麻烦的话，可以把.axf文件与.ini放在同一个目录下。
以上就是在FLASH中调试与在SRAM中调试的设置方法，调试代码时可以选择SRAM版本的配置，调试完成再切换回FLASH版本的配置，把程序下载到FLASH中。切换方法：
在RAM中调试的优缺点
以下来自《【野火】零死角玩转STM32—F429挑战者V2.pdf》。
优点：
1、载程序非常快。RAM 存储器的写入速度比在内部 FLASH 中要快得多，且没有擦除过程，因此在 RAM 上调试程序时程序几乎是秒下的，对于需要频繁改动代码的调试过程，能节约很多时间，省去了烦人的擦除与写入 FLASH 过程。另外，STM32 的内部 FLASH 可擦除次数为 1 万次，虽然一般的调试过程都不会擦除这么多次导致 FLASH 失效，但这确实也是一个考虑使用 RAM 的因素。
2、不改写内部 FLASH 的原有程序。
3、对于内部 FLASH 被锁定的芯片，可以把解锁程序下载到 RAM 上，进行解锁。
缺点：
1、存储在 RAM 上的程序掉电后会丢失，不能像 FLASH 那样保存。
2、SRAM空间较小。
以上就是本次分享的关于RAM调试与FLASH调试的笔记，更多的相关原理、细节可查阅《【野火】零死角玩转STM32—F429挑战者V2.pdf》。
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